时间：2025/8/16 8:19:52
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RF2658 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的射频功率放大器芯片，专为蜂窝通信应用设计。该器件通常用于移动通信设备，如基站、无线中继器和射频测试设备中，提供高线性度和高效率的功率放大功能。RF2658 支持多种通信标准，包括 GSM、CDMA 和 LTE 等，适用于 800 MHz 至 1000 MHz 的频率范围。该芯片采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造，确保在高频操作下的高性能表现。
工作频率范围：800 MHz 至 1000 MHz
输出功率：28 dBm（典型值）
增益：30 dB（典型值）
电源电压：+28V
电流消耗：2.5A（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：16 引脚表面贴装（SMT）
RF2658 是一款专为高性能射频功率放大应用设计的 GaAs HEMT 功率放大器芯片，具有高增益、高输出功率和出色的线性度。该器件在 800 MHz 至 1000 MHz 频率范围内提供稳定的性能，适用于多种蜂窝通信系统，如 GSM、CDMA 和 LTE。其高效率设计降低了功耗，提高了设备的能效。
此外，RF2658 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。其 16 引脚 SMT 封装便于集成到现代通信设备的射频电路中，同时支持表面贴装工艺，提高生产效率和焊接可靠性。
在性能方面，RF2658 提供高达 30 dB 的典型增益和 28 dBm 的输出功率，在 28V 电源电压下工作，典型的电流消耗为 2.5A。该芯片还具备良好的互调失真（IMD）性能，确保信号传输的高保真度，减少干扰和信号失真。其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种工业和通信应用。
RF2658 广泛应用于各类射频和无线通信设备中，如蜂窝基站、无线中继器、射频测试仪器和工业通信系统。该芯片特别适合需要高线性度和高效率的功率放大应用，支持 GSM、CDMA、LTE 等多种通信标准。此外，RF2658 也可用于宽带通信系统、射频功率模块设计以及无线基础设施设备的开发。
RF2658P RF2658E RF2658S
