RF2367SR 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的射频功率放大器(PA)模块,专为蜂窝通信应用设计。该器件主要面向 GSM、EDGE、UMTS 和 LTE 等移动通信标准,适用于基站和无线基础设施设备。RF2367SR 采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,提供高功率增益、良好的线性度以及高效率,适合中功率射频放大应用。其封装形式为表面贴装(SMD),便于集成到现代通信设备中。
工作频率范围:869 - 960 MHz
输出功率:30 W(典型值)
增益:20 dB(典型值)
电源电压:+28 V
电流消耗:1.3 A(典型值)
封装类型:表面贴装(SMD)
输入/输出阻抗:50 Ω
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF2367SR 具有多个显著的电气和物理特性,使其在射频功率放大应用中表现出色。首先,其工作频率范围为 869 至 960 MHz,覆盖了多个蜂窝通信频段,如 GSM900 和部分 LTE 频段,使其适用于多种无线通信系统。该器件采用 GaN(氮化镓)HEMT 技术制造,这种技术相比传统的 LDMOS 技术具有更高的功率密度和更好的热稳定性,从而提高了整体效率和可靠性。
其次,RF2367SR 提供 30 W 的典型输出功率,增益为 20 dB,能够满足中功率射频放大需求,适用于基站和无线基础设施设备。该功率放大器模块的电源电压为 +28 V,在此电压下电流消耗约为 1.3 A,具备较高的能效,有助于降低系统功耗并减少散热需求。
此外,该模块采用表面贴装封装(SMD),支持自动化生产和紧凑的电路设计。其输入和输出阻抗均为 50 Ω,确保了良好的匹配性能,减少了信号反射和损耗。在环境适应性方面,RF2367SR 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适合在各种工业环境中运行。其内部集成有热保护和过载保护功能,进一步增强了器件的稳定性和寿命。
RF2367SR 主要应用于蜂窝通信系统,特别是在基站和无线基础设施设备中。它适用于 GSM900、EDGE、UMTS 以及 LTE 等多种无线通信标准,作为中功率射频放大器使用。在无线基础设施中,该器件可用于多载波功率放大应用,支持高密度的频谱利用和高效的信号传输。此外,RF2367SR 也可用于工业通信系统、测试设备、射频信号源以及需要高线性度和高效率的射频放大场景。由于其出色的性能和可靠性,该器件广泛应用于电信设备制造商和系统集成商的产品中。
CGH40030P, MRF6V20300HR3, AFT05MS003N