时间：2025/12/23 17:37:39
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RF21N200G500CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，能够在高频段提供卓越的增益、效率和线性度。
这款晶体管通常用于无线通信系统、雷达系统以及其他需要高效射频能量转换的应用场景中。其出色的性能使其成为高功率射频放大器的理想选择。
型号：RF21N200G500CT
类型：射频功率晶体管
封装形式：陶瓷封装
工作频率范围：50 MHz - 3 GHz
最大输出功率：200 W
增益：15 dB（典型值）
饱和电压：50 V
漏极效率：60%（典型值）
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
RF21N200G500CT 拥有多种突出特性，包括：
1. 高频率范围支持：能够覆盖从 50 MHz 到 3 GHz 的宽广频率区间，适合各种射频应用。
2. 强大的输出能力：在高频率条件下仍能保持 200W 的稳定输出功率。
3. 优异的效率表现：在高频操作下可实现高达 60% 的漏极效率，有助于降低能耗和散热需求。
4. 稳定的增益性能：在指定频率范围内提供稳定的增益，减少信号失真。
5. 良好的热管理：陶瓷封装结合优化的设计，提高了器件的热稳定性，延长使用寿命。
6. 宽泛的工作温度范围：可以在极端温度环境下可靠运行，适用于恶劣环境下的设备。
7. 易于集成：具备标准的输入/输出匹配阻抗，简化了与外部电路的连接和调试过程。
RF21N200G500CT 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：作为核心元件，用于提高无线通信系统的发射功率。
2. 雷达系统：支持高精度和远距离探测所需的高功率射频信号生成。
3. 电子战设备：满足复杂电磁环境中对高功率射频信号的需求。
4. 医疗设备：例如磁共振成像 (MRI) 系统中的射频激励源。
5. 工业加热和等离子体激发：利用射频能量进行材料处理或等离子体产生。
6. 科学研究：如粒子加速器中的射频驱动模块。
RF21N200G500C, RF22N200G500CT, RF21N150G500CT
