时间：2025/6/22 12:03:00
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FN18B474K160PBG 是一款高性能的 N 沀道管（N-Channel MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时优化了开关性能以降低功耗。
这款 MOSFET 在设计上注重效率与可靠性，适用于需要高能效及紧凑型解决方案的应用场合。
型号：FN18B474K160PBG
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS（漏源极电压）：160V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：47mΩ
ID（连续漏极电流）：18A
Qg（总栅极电荷）：35nC
EAS（雪崩能量）：390mJ
f（工作频率）：高达 1MHz
封装形式：TO-220FP
FN18B474K160PBG 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可显著减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 较高的 VDS 额定值（160V），使其能够在较宽范围的工作电压下稳定运行。
3. 支持大电流操作，最大连续漏极电流可达 18A，满足高功率应用需求。
4. 总栅极电荷 Qg 小，有助于实现快速开关，从而减少开关损耗。
5. 良好的热性能和鲁棒性，能够承受较大的瞬态电流冲击。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特性使 FN18B474K160PBG 成为多种工业和消费电子领域中的理想选择。
FN18B474K160PBG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用，提升电源转换效率。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型的电机运行。
3. 电池管理：用于保护电路或负载切换功能。
4. 工业自动化设备：如伺服驱动器、逆变器等高功率应用场景。
5. 汽车电子：支持车载充电器、电动助力转向系统等功能。
凭借其卓越的性能和可靠性，FN18B474K160PBG 在上述领域中表现出色。
IRFZ44N, FDP18N16E, STW47N16M5
