时间：2025/6/26 8:58:25
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RF21N120F251CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该 MOSFET 的设计使其能够在较高的工作频率下保持较低的开关损耗，同时其坚固的封装结构能够承受较大的电流和瞬态电压冲击，适合在恶劣环境下使用。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1540pF
输出电容：290pF
反向传输电容：32pF
开关时间：ton=12ns, toff=23ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
RF21N120F251CT 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压 (120V)，确保在高压应用中的可靠运行。
3. 快速的开关速度，减小了开关损耗，适用于高频应用场景。
4. 较低的栅极电荷，降低了驱动功耗，简化了驱动电路设计。
5. 宽温度范围 (-55°C 至 +175°C)，支持在极端环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
7. TO-263 封装提供良好的散热性能和电气连接稳定性。
RF21N120F251CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
6. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节器。
7. 各种高频功率变换器和负载切换电路。
RF21N120F250CT, IRF2120, FDP16N120
