RF21N0R9A251CT 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信系统中的功率放大器。该器件采用了先进的硅锗(SiGe)工艺技术制造,具有高增益、高线性度和低失真的特点,适用于蜂窝基站、点对点无线电和其他射频应用。
该晶体管设计工作在特定的频率范围内,能够提供卓越的输出功率和效率表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
型号:RF21N0R9A251CT
类型:射频功率晶体管
封装:Ceramic Flange
工作频率范围:2.1GHz 至 2.2GHz
最大输出功率:40W (典型值)
增益:16dB (典型值)
饱和输出功率:50W (典型值)
电源电压:28V
直流功耗:75W
插入相位噪声:-153dBc/Hz @ 10kHz 偏移
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF21N0R9A251CT 的主要特点是其出色的射频性能和稳定性。它支持宽泛的工作频率范围,能够在高频段提供高效的功率输出。
该器件具有较高的增益和线性度,能够有效减少信号失真并提高通信质量。
另外,RF21N0R9A251CT 还具有强大的散热能力和环境适应性,可确保长时间运行下的可靠性和稳定性。
此外,它的低噪声特性和高效率使其成为基站设备的理想选择,能显著降低系统的总体能耗。
RF21N0R9A251CT 广泛应用于各种无线通信领域。典型应用包括:
1. 蜂窝基站功率放大器:
- 用于 LTE 和其他蜂窝网络的标准功率放大部分。
2. 点对点微波无线电:
- 在长距离数据传输中提供稳定的射频输出。
3. 军用及航空航天通信:
- 因其高可靠性,适用于要求苛刻的军事和航空通信场景。
4. 工业射频设备:
- 如工业加热、等离子体生成等领域需要高功率射频源的场合。
RF22N0R9A251CT, RF21N0R8A251CT