RF2173TR 时间：2025/8/16 4:29:17 阅读：10

RF2173TR是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的高性能射频功率放大器（PA）芯片，广泛应用于无线通信系统中。该器件设计用于在800 MHz至1000 MHz频段内提供高线性度和高效率的功率放大功能，特别适用于CDMA、WCDMA、LTE等现代无线通信标准。RF2173TR采用先进的InGaP HBT工艺制造，确保在高频率下具有优异的性能。

参数

工作频率：800 MHz至1000 MHz
　　输出功率：28 dBm（典型值）
　　增益：30 dB（典型值）
　　电源电压：+5 V
　　电流消耗：350 mA（典型值，无信号时）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：24引脚TSSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

RF2173TR的主要特性之一是其高线性度，这对于现代通信系统中避免信号失真和干扰至关重要。该芯片在多种调制格式下（如QPSK、16QAM等）均能保持良好的线性表现，从而确保数据传输的可靠性。此外，RF2173TR具有较高的功率附加效率（PAE），能够将输入的直流功率有效地转换为射频输出功率，降低系统功耗并减少散热需求。
　　该器件还集成了输入匹配网络和输出匹配网络，简化了外围电路设计并减少了PCB布局的复杂性。内置的偏置电路和温度补偿功能使其能够在不同的工作条件下保持稳定的性能。RF2173TR采用紧凑的TSSOP封装，适用于高密度PCB设计，并具有良好的热稳定性，确保在长时间运行中保持高性能。

应用

RF2173TR广泛应用于各种无线通信设备中，包括基站、直放站、无线接入点和测试仪器。其高线性度和高效率特性使其非常适合用于CDMA、WCDMA、LTE等蜂窝通信系统中的上行链路和下行链路放大。此外，该芯片也可用于WiMAX、DVB-T等宽带通信系统中的射频功率放大环节。由于其良好的热稳定性和可靠性，RF2173TR也适用于需要长时间连续工作的工业级应用。