时间：2025/8/24 16:05:14
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RF1S50N06是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：50A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值3.7mΩ（在VGS=10V时）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至+175°C
RF1S50N06具备低导通电阻特性，使其在高电流条件下能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
该器件采用高性能的沟槽结构，优化了电场分布，提升了器件的稳定性和可靠性。
其高耐压特性（60V）使其适用于多种中高压功率转换应用，如服务器电源、工业电源和电动汽车充电系统。
此外，RF1S50N06具有快速开关能力，能够减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET采用TO-263封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。
其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）确保在恶劣环境下依然能够稳定工作。
RF1S50N06广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关控制、电机驱动器、工业电源、服务器电源供应器以及电动汽车的充电与能量管理系统等。
由于其高电流能力和低导通电阻特性，特别适合需要高效率和高可靠性的电源转换场合。
SiR142DP-T1-GE3, FDP5030BL, IRF1405, NTD50N06LT4G
