时间：2025/12/29 14:16:28
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RF1S30N06LESM 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于高电流和高频开关应用。该MOSFET封装为PowerPAK? 1212-8，适用于各种电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（Rds(on)）：12.8mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：PowerPAK 1212-8
RF1S30N06LESM 具有低导通电阻，能够在高电流条件下实现更低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其先进的沟槽式MOSFET技术确保了卓越的电气性能和热稳定性。
该器件支持高达30A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计，如服务器电源、电信设备和工业电机控制。此外，该MOSFET具备较高的栅极耐压能力（±20V），增强了在高噪声环境中的可靠性和抗干扰能力。
RF1S30N06LESM 采用PowerPAK? 1212-8封装，具有出色的散热性能，有助于降低系统温度并提升长期运行稳定性。其封装尺寸紧凑，适合PCB空间受限的应用场景。
该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频DC-DC转换器和同步整流电路。其高效率和低损耗特性使其成为高性能电源设计的理想选择。
RF1S30N06LESM 主要应用于服务器和通信设备的电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化和控制系统中。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于高功率便携式设备和新能源系统中的功率控制模块。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPB065N06LGATMA1
