时间：2025/8/25 3:44:23
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RF1S25N06是一款由Renesas（瑞萨）公司推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换和功率管理应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及工业电源系统等应用。RF1S25N06采用TSMT（双侧面散热无引脚封装）封装，有助于实现小型化和高效散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大6.6mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSMT（双侧面散热）
RF1S25N06功率MOSFET采用了瑞萨先进的沟槽式技术，实现了极低的导通电阻和高效的开关性能。其导通电阻仅为6.6mΩ，在100A大电流条件下，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。
此外，该器件具有高达60V的漏源耐压能力，能够满足多种中高功率应用的需求。其栅极设计支持±20V的栅源电压，增强了器件在高噪声环境下的稳定性与可靠性。
TSMT封装是RF1S25N06的一大亮点，该封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还通过双侧面散热结构提高了热性能，使器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
RF1S25N06还具备优良的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压冲击，提高了系统在异常工作条件下的鲁棒性。此外，其快速开关特性降低了开关损耗，适合用于高频开关电源和同步整流电路。
整体而言，RF1S25N06是一款适用于高效率、高功率密度电源设计的理想功率MOSFET。
RF1S25N06广泛应用于各类高效率电源系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、服务器电源、工业电源、电池管理系统以及电动汽车充电模块等。其低导通电阻和高电流容量也使其适合用于需要高功率密度和高效率的现代电子设备中。
SiR182DP-T1-GE3, FDS6680, IPB013N06N3, BSC0906LS
