电容值：470μF
　　容差：±20%
　　额定电压：1V
　　尺寸：3.5mm x 2.8mm x 1.9mm
　　温度系数：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　最大纹波电流：400mA（100kHz）
　　绝缘电阻：10000MΩ min
　　ESR（等效串联电阻）：20mΩ max（100kHz）

ESMQ3B1VSN471MQ40S 具有优异的电容稳定性和低损耗特性，适用于高频电路和高精度电路。该电容器采用X5R介质材料，能够在-55°C至+85°C的温度范围内保持稳定的电容值。此外，其低ESR和高纹波电流承受能力，使其在电源管理电路中表现出色，能够有效降低电路噪声和纹波。该电容器还具有优异的机械强度和耐热性能，确保在恶劣工作环境下的稳定性和可靠性。
　　该电容器的结构采用多层设计，提高了电容密度，同时减小了元件尺寸，适用于高密度PCB布局。此外，ESMQ3B1VSN471MQ40S 还具备良好的焊接性能，支持SMT（表面贴装技术）工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。其环保材料符合RoHS指令，适用于各类环保电子产品设计。
　　在电气性能方面，该电容器具有良好的频率响应特性，适用于DC-DC转换器、滤波电路、去耦电路等应用场景。其高电容值和低ESR特性使其在电源滤波和能量存储方面表现出色，有助于提高系统的稳定性和效率。

ESMQ3B1VSN471MQ40S 主要应用于消费类电子产品、工业自动化设备、通信设备、计算机及外围设备、汽车电子系统等领域。具体应用包括电源管理模块、DC-DC转换器、LED驱动电路、音频放大器、射频电路滤波以及高性能主板的去耦电容等。

GRM188R61C475KE19E, C1608X5R1C475K080AB, CL21B475KCQNNNE