RF1K49224 时间：2025/12/29 14:58:48 阅读：32

RF1K49224是一款由Renesas Electronics制造的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频放大器应用设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具有高效率、高线性度和高可靠性。RF1K49224适用于广播、通信基础设施、工业加热设备以及测试设备等需要高功率输出的射频系统。其封装形式为高散热效率的金属封装，确保在高功率运行下的稳定性和热管理。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：225 MHz至260 MHz
　　最大输出功率：4900 W（典型值）
　　增益：22 dB（最小值）
　　漏极电压：VDS = 65 V
　　漏极电流：ID = 210 A（脉冲）
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：金属陶瓷封装（TO-270AA）
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　输出驻波比（VSWR）：30:1（最大）

特性

RF1K49224采用了Renesas先进的LDMOS技术，具备出色的热稳定性和高可靠性，适合在高功率环境下长时间运行。该器件在225 MHz至260 MHz频段内提供高达4900 W的连续波（CW）输出功率，适用于各种高功率射频放大器设计。其高增益特性（最小22 dB）降低了前级驱动的需求，简化了系统设计。此外，该器件具备较高的抗失配能力，输入和输出VSWR分别可承受2.5:1和30:1，确保在负载不匹配条件下的稳定运行。
　　在热管理方面，RF1K49224采用高效的金属陶瓷封装（TO-270AA），有效提高了散热性能，使其能够在高功率密度下保持较低的工作温度，从而延长器件寿命。其漏极电压为65 V，漏极电流可达210 A（脉冲），确保在高电压和高电流条件下仍能稳定工作。
　　此外，该器件具有良好的线性度和效率，支持高数据速率的通信系统应用，适用于数字广播、DVB-T、DAB等广播系统，同时也可用于工业和医疗射频加热设备。