时间：2025/8/20 18:42:44
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SDS120PT07B 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，适合中等功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等。SDS120PT07B 的最大漏源电压（Vds）为 120V，最大漏极电流（Id）为 7.5A，适用于需要高可靠性和高性能的工业和消费类电子产品。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：120V
最大漏极电流 Id：7.5A
最大功耗 Pd：50W
导通电阻 Rds(on)：0.25Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压 Vgs(th)：2V ~ 4V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：TO-252 (DPAK)
SDS120PT07B 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻 Rds(on) 为 0.25Ω，能够在高电流工作条件下减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达 7.5A 的连续漏极电流，适用于中等功率级别的开关应用。该 MOSFET 采用 TO-252 封装，具有良好的热传导性能，有助于在高功率密度设计中实现良好的散热效果。
另一个显著的特性是其栅极驱动电压范围适中，典型的栅极阈值电压在 2V 至 4V 之间，使其适用于多种控制电路设计，包括基于微控制器或 PWM 控制器的栅极驱动方案。此外，该器件具备较高的热稳定性，能在恶劣的环境温度条件下稳定工作，适用于工业级应用。
SDS120PT07B 还具备出色的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。该器件的封装设计也便于 PCB 布局和自动化装配，适用于大批量生产和自动化制造流程。综合来看，这款 MOSFET 在性能、可靠性和封装适应性方面均表现出色，是许多功率转换和控制应用的理想选择。
SDS120PT07B 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：电源管理系统中的 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。其高效率和低导通电阻特性使其在便携式设备的电池管理系统中发挥重要作用，可有效延长设备的续航时间。此外，该器件也适用于工业自动化控制设备中的开关电源模块，如 PLC 控制系统、工业变频器和伺服驱动器等。
在家用电器领域，SDS120PT07B 可用于智能家电的电源控制模块，如智能空调、洗衣机和电热水器的功率调节电路。在汽车电子方面，该器件可应用于车载充电系统、电池管理系统以及汽车照明控制电路。由于其良好的热稳定性与抗冲击能力，也适用于需要高可靠性的工业和汽车应用场景。
STP120N10F7, FDPF120N10A, IRFZ48N
