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RF18N6R0B500CT 发布时间 时间:2025/7/4 6:05:02 查看 阅读:14

RF18N6R0B500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频率、高效率功率晶体管,广泛应用于射频功率放大器领域。该器件采用了先进的 GaN-on-SiC 工艺制造,能够在高频和高功率条件下保持出色的性能。
  其主要用途包括无线通信基站、雷达系统、卫星通信以及工业加热等场景中的射频功率放大。得益于 GaN 材料的特性,RF18N6R0B500CT 能够提供比传统硅基器件更高的输出功率密度和更高的工作频率,同时具备较低的热阻,有助于提升整体系统效率。

参数

型号:RF18N6R0B500CT
  类型:GaN HEMT
  最大漏源电压(Vds):100 V
  栅极电压范围(Vgs):-4 V 至 +6 V
  最大漏极电流(Id):12 A
  输出功率:500 W
  频率范围:30 MHz 至 3 GHz
  增益:12 dB(典型值)
  导通电阻(Rds(on)):0.2 Ω
  封装形式:Flangeless Ceramic Package

特性

RF18N6R0B500CT 的主要特性在于其使用了氮化镓技术,这使得它在高频和高功率应用中表现出色。以下是其详细特性:
  1. 高输出功率:能够实现高达 500W 的连续波输出功率,适合于需要高功率射频放大的场合。
  2. 宽带操作:支持从 30 MHz 到 3 GHz 的宽频率范围,适用于多种通信标准和雷达应用。
  3. 高效率:由于 GaN 材料的低导通电阻和高电子迁移率,RF18N6R0B500CT 在高功率下的效率显著优于传统硅器件。
  4. 小型化设计:采用无法兰陶瓷封装,减少了寄生电感和电容的影响,从而提高了高频性能。
  5. 热管理优异:低热阻设计确保了良好的散热性能,延长了器件寿命并提升了可靠性。
  6. 稳定性强:在各种负载和温度条件下均能保持稳定的性能表现。

应用

RF18N6R0B500CT 主要应用于以下领域:
  1. 无线通信:用于蜂窝基站、WiMAX 和其他无线通信基础设施中的射频功率放大器。
  2. 雷达系统:满足军事及民用雷达对高功率和高频率射频信号的需求。
  3. 卫星通信:为地面站和卫星链路提供高效的大功率射频放大。
  4. 医疗设备:如磁共振成像(MRI) 中的射频发射模块。
  5. 工业加热与焊接:利用射频能量进行材料加工或焊接作业。
  6. 测试与测量:在高性能射频测试仪器中作为驱动放大器。

替代型号

RF18N6R0B300CT, RF18N6R0B700CT

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RF18N6R0B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.17953卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-