RF18N6R0B500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频率、高效率功率晶体管,广泛应用于射频功率放大器领域。该器件采用了先进的 GaN-on-SiC 工艺制造,能够在高频和高功率条件下保持出色的性能。
其主要用途包括无线通信基站、雷达系统、卫星通信以及工业加热等场景中的射频功率放大。得益于 GaN 材料的特性,RF18N6R0B500CT 能够提供比传统硅基器件更高的输出功率密度和更高的工作频率,同时具备较低的热阻,有助于提升整体系统效率。
型号:RF18N6R0B500CT
类型:GaN HEMT
最大漏源电压(Vds):100 V
栅极电压范围(Vgs):-4 V 至 +6 V
最大漏极电流(Id):12 A
输出功率:500 W
频率范围:30 MHz 至 3 GHz
增益:12 dB(典型值)
导通电阻(Rds(on)):0.2 Ω
封装形式:Flangeless Ceramic Package
RF18N6R0B500CT 的主要特性在于其使用了氮化镓技术,这使得它在高频和高功率应用中表现出色。以下是其详细特性:
1. 高输出功率:能够实现高达 500W 的连续波输出功率,适合于需要高功率射频放大的场合。
2. 宽带操作:支持从 30 MHz 到 3 GHz 的宽频率范围,适用于多种通信标准和雷达应用。
3. 高效率:由于 GaN 材料的低导通电阻和高电子迁移率,RF18N6R0B500CT 在高功率下的效率显著优于传统硅器件。
4. 小型化设计:采用无法兰陶瓷封装,减少了寄生电感和电容的影响,从而提高了高频性能。
5. 热管理优异:低热阻设计确保了良好的散热性能,延长了器件寿命并提升了可靠性。
6. 稳定性强:在各种负载和温度条件下均能保持稳定的性能表现。
RF18N6R0B500CT 主要应用于以下领域:
1. 无线通信:用于蜂窝基站、WiMAX 和其他无线通信基础设施中的射频功率放大器。
2. 雷达系统:满足军事及民用雷达对高功率和高频率射频信号的需求。
3. 卫星通信:为地面站和卫星链路提供高效的大功率射频放大。
4. 医疗设备:如磁共振成像(MRI) 中的射频发射模块。
5. 工业加热与焊接:利用射频能量进行材料加工或焊接作业。
6. 测试与测量:在高性能射频测试仪器中作为驱动放大器。
RF18N6R0B300CT, RF18N6R0B700CT