RF18N5R6C251CT是一款高性能的射频(RF)功率晶体管,广泛应用于无线通信设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺,能够提供高增益、高效率和低失真的性能特点。它主要针对高频信号放大设计,适用于基站、无线电发射机和其他射频功率应用场合。
RF18N5R6C251CT以其出色的热稳定性和可靠性著称,同时支持宽泛的工作频率范围,为设计工程师提供了极大的灵活性。
最大集电极-发射极电压:50V
最大集电极电流:18A
典型输出功率:6W
工作频率范围:30MHz - 500MHz
增益:15dB
封装类型:TO-247
功耗:120W
1. 高效率射频功率放大,适合连续波(CW)及调制信号放大的需求。
2. 热阻较低,确保在高功率运行时具有良好的散热性能。
3. 内置匹配网络,减少外部元件使用,简化电路设计。
4. 宽带频率覆盖,满足多种无线通信系统的应用要求。
5. 可靠性高,经过严格的老化测试和质量控制流程,适用于工业级和商业级产品。
该芯片主要用于射频功率放大器的设计与实现,具体应用包括:
1. 无线通信基站中的功率放大模块。
2. 固定无线接入(FWA)系统中的射频前端。
3. 海事、航空等专用无线电通信设备。
4. 民用或军用短波、超短波电台。
5. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备的功率放大组件。
RF18N5R6C252CT, RF18N5R6C253CT