时间：2025/12/24 16:10:58
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RF18N5R0B500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能射频功率晶体管，适用于高频和高功率应用。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 工艺制造，具有优异的高频特性和高功率密度，能够显著提高系统效率和带宽性能。
它主要针对无线通信、雷达系统、卫星通信等应用领域设计，支持高频率范围内的高效功率放大功能。该型号具备低热阻和高击穿电压特性，从而能够在高温环境下稳定运行。
类型：射频功率晶体管
工艺技术：GaN-on-SiC
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±7V
连续波输出功率(Pout)：50W
频率范围：DC 至 18GHz
增益：大于 12dB（典型值）
效率：高达 65%（典型值）
封装形式：陶瓷气密封装
1. 基于氮化镓 (GaN) 技术，提供卓越的高频和高功率性能。
2. 支持极宽的工作频率范围，从直流到 18GHz，非常适合现代宽带通信系统。
3. 高效的能量转换能力，在高功率输出条件下仍能保持较高的线性度和稳定性。
4. 内部优化的匹配网络设计，简化了外部电路的设计复杂度。
5. 具备低寄生电容和低导通电阻的特点，可有效降低信号失真和功耗。
6. 良好的散热管理能力，适合长时间在高温环境下工作。
1. 无线通信基础设施（如基站放大器）。
2. 雷达系统中的功率放大模块。
3. 卫星通信设备中的上行链路功率放大器。
4. 测试与测量仪器中的高频信号源。
5. 医疗成像设备中的射频驱动部分。
6. 工业、科学及医疗 (ISM) 应用中的高频能量传输组件。
RF18N5R0B500DT, RF18N5R0A500CT, RF18N5R0C500CT
