时间：2025/8/14 6:30:33
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BSS84_R1_00001 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。该器件采用了先进的沟槽技术，使其在低电压应用中具有优异的导通电阻和开关性能。BSS84_R1_00001 的设计使其适用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器以及各种便携式电子产品。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续 - 100mA
导通电阻(Rds(on))：@Vgs=10V, Id=100mA 时为 4.5Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23（小型表面贴装封装）
BSS84_R1_00001 具有多种优良特性，包括低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中更低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该 MOSFET 还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高工作频率。BSS84_R1_00001 在设计上采用了高可靠性的沟槽工艺，增强了器件的耐用性和稳定性，特别适合在高温和高负载条件下运行。其 SOT-23 封装形式不仅节省空间，而且便于集成到紧凑的电路设计中。
这款器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，使其能够与多种控制器或驱动器兼容。此外，BSS84_R1_00001 具备良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，提高系统的整体可靠性。对于需要高效能和高稳定性的电源管理应用，BSS84_R1_00001 是一个理想的选择。
BSS84_R1_00001 广泛应用于多种电源管理和控制场景。常见应用包括电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理单元（PMU）、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源控制电路。由于其低导通电阻和快速开关特性，该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。此外，它还可用于电机控制、LED 照明驱动以及各种工业自动化控制系统中的电源切换和调节任务。
Si2301DS, AO3401A, FDN340P, NTR1P02X
