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BSS84 _R1 _00001 发布时间 时间:2025/8/14 6:30:33 查看 阅读:18

BSS84_R1_00001 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。该器件采用了先进的沟槽技术,使其在低电压应用中具有优异的导通电阻和开关性能。BSS84_R1_00001 的设计使其适用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器以及各种便携式电子产品。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):连续 - 100mA
  导通电阻(Rds(on)):@Vgs=10V, Id=100mA 时为 4.5Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23(小型表面贴装封装)

特性

BSS84_R1_00001 具有多种优良特性,包括低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流应用中更低的功率损耗,从而提高了整体系统的效率。此外,该 MOSFET 还具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高工作频率。BSS84_R1_00001 在设计上采用了高可靠性的沟槽工艺,增强了器件的耐用性和稳定性,特别适合在高温和高负载条件下运行。其 SOT-23 封装形式不仅节省空间,而且便于集成到紧凑的电路设计中。
  这款器件的栅极驱动电压范围较宽,可在 4.5V 至 20V 之间正常工作,使其能够与多种控制器或驱动器兼容。此外,BSS84_R1_00001 具备良好的抗雪崩能力,能够在极端工作条件下保持稳定运行,提高系统的整体可靠性。对于需要高效能和高稳定性的电源管理应用,BSS84_R1_00001 是一个理想的选择。

应用

BSS84_R1_00001 广泛应用于多种电源管理和控制场景。常见应用包括电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电源管理单元(PMU)、便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源控制电路。由于其低导通电阻和快速开关特性,该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。此外,它还可用于电机控制、LED 照明驱动以及各种工业自动化控制系统中的电源切换和调节任务。

替代型号

Si2301DS, AO3401A, FDN340P, NTR1P02X

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