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RF18N470G500CT 发布时间 时间:2025/7/12 20:06:36 查看 阅读:75

RF18N470G500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于 RF 系列产品。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。它广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及 DC-DC 转换器等应用领域。
  RF18N470G500CT 的设计注重效率和可靠性,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:0.47Ω
  栅极电荷:36nC
  输入电容:2000pF
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

RF18N470G500CT 提供了卓越的电气性能,主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流下保持高效运行。
  2. 高额定电压 (500V),确保在高压系统中的可靠工作。
  3. 快速开关能力,减少开关损耗并提高整体效率。
  4. 优异的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持良好的性能。
  5. 高度可靠的结构设计,适合工业级和汽车级应用。
  6. 小尺寸封装,便于电路板布局和集成。
  这款 MOSFET 在高频和高功率应用场景中表现尤为出色,能够显著提升系统的能源利用率。

应用

RF18N470G500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的负载开关。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的电池管理系统 (BMS)。
  6. 各种 DC-DC 转换器和升压/降压模块。
  由于其高耐压能力和低导通电阻,RF18N470G500CT 成为许多高压、大电流应用的理想选择。

替代型号

RF18N470G550CT, IRFP460, STP18NF50

RF18N470G500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.16918卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容47 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-