RF18N470G500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于 RF 系列产品。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。它广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及 DC-DC 转换器等应用领域。
RF18N470G500CT 的设计注重效率和可靠性,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
导通电阻:0.47Ω
栅极电荷:36nC
输入电容:2000pF
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
RF18N470G500CT 提供了卓越的电气性能,主要特性如下:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流下保持高效运行。
2. 高额定电压 (500V),确保在高压系统中的可靠工作。
3. 快速开关能力,减少开关损耗并提高整体效率。
4. 优异的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持良好的性能。
5. 高度可靠的结构设计,适合工业级和汽车级应用。
6. 小尺寸封装,便于电路板布局和集成。
这款 MOSFET 在高频和高功率应用场景中表现尤为出色,能够显著提升系统的能源利用率。
RF18N470G500CT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的电池管理系统 (BMS)。
6. 各种 DC-DC 转换器和升压/降压模块。
由于其高耐压能力和低导通电阻,RF18N470G500CT 成为许多高压、大电流应用的理想选择。
RF18N470G550CT, IRFP460, STP18NF50