时间：2025/6/29 7:47:27
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RF18N470F500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用场景。
RF18N470F500CT 的封装形式为 TO-220，能够有效散热并提供可靠的电气连接。其耐压能力高达 500V，使其非常适合高压环境下的电路设计。
最大漏源电压：500V
最大连续漏极电流：18A
最大栅极电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.47Ω
总功耗：135W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
RF18N470F500CT 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：500V 的漏源电压使其能够在高压条件下稳定工作。
2. 低导通电阻：在特定工作条件下，导通电阻仅为 0.47Ω，可显著降低导通损耗。
3. 快速开关性能：由于采用了先进的制造工艺，该器件具备快速开关速度，适合高频应用。
4. 出色的热稳定性：能够承受高达 175℃ 的结温，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 强大的电流承载能力：支持最大连续漏极电流达 18A，满足大功率应用需求。
6. 封装优势：TO-220 封装提供良好的散热性能，并便于安装和维护。
RF18N470F500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：作为主开关管或同步整流器，用于提高效率和稳定性。
2. 电机驱动：适用于直流无刷电机 (BLDC) 和步进电机驱动电路。
3. 负载开关：用于控制大电流负载的通断。
4. 逆变器：在光伏逆变器和其他类型的逆变器中发挥关键作用。
5. 保护电路：用作过流保护或短路保护元件。
6. 工业自动化设备：如伺服驱动器和 PLC 控制系统中的功率级组件。
RF18N470F500C, IRFP460, STP18NF50
