时间：2025/6/29 12:08:52
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RF18N470F251CT 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合在高频开关应用中使用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等领域。
其设计目标是为系统提供高效的功率转换和良好的热性能。同时，由于其较低的栅极电荷和输出电容，可以显著减少开关损耗。
型号：RF18N470F251CT
封装：TO-263
最大漏源电压(Vds)：470V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
脉冲漏极电流(Ip)：79A
导通电阻(Rds(on))：0.3 Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：50 nC
总电容(Ciss)：3300 pF
开关频率：最高支持至 500 kHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 高耐压能力，漏源电压高达 470V，适用于高电压环境下的电路设计。
2. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 10V 栅极驱动下仅为 0.3Ω，可降低传导损耗。
3. 快速开关特性，栅极电荷小，能够有效减少开关损耗。
4. 强大的峰值电流承受能力，瞬态电流可达 79A，适应高动态负载需求。
5. 宽泛的工作温度范围，从 -55°C 到 +175°C，保证了器件在极端条件下的可靠性。
6. 封装形式为 TO-263，具备优秀的散热性能。
RF18N470F251CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器，用于高效降压或升压转换。
3. 电机驱动电路，作为功率级驱动元件。
4. 电池保护和负载切换，利用其低导通电阻特性以减少功耗。
5. 工业控制中的功率调节模块，如变频器和逆变器等设备。
6. 其他需要高压大电流开关的应用场景。
RF18N470F251CL, RF18N470F251CU
