RF18N2R3B500CT是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频通信应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和优异的线性度,适用于无线通信基站、雷达系统以及其他射频功率放大器场景。
其工作频率范围广泛,能够在高频条件下提供稳定的性能表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性,确保在各种复杂环境下的长期运行。
型号:RF18N2R3B500CT
类型:射频功率晶体管
封装形式:TO-247
额定功率:18W
工作频率范围:30MHz - 2GHz
电压范围:28V
电流范围:5A
增益:12dB(典型值)
最大耗散功率:50W
插入损耗:≤1.5dB
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
RF18N2R3B500CT的主要特性包括:
1. 高效率:在高频段内表现出卓越的转换效率,适合对功耗敏感的应用场景。
2. 优秀的线性度:低失真和高线性输出,特别适用于数字调制信号处理。
3. 稳定性强:经过优化的设计使其能在宽广的工作条件下保持一致的性能表现。
4. 散热良好:得益于高效的散热设计,能够承受较高的瞬时功率负载。
5. 可靠性高:通过了多项严格的可靠性测试,包括高温、高压和湿度测试,确保长时间使用的稳定性。
6. 易于集成:标准化的封装形式简化了与现有系统的集成过程,降低了设计复杂度。
该晶体管广泛应用于以下领域:
1. 射频功率放大器:用于提高无线通信设备的发射功率。
2. 基站设备:支持现代通信网络中的高效信号传输。
3. 工业及科学设备:如等离子体发生器、超声波设备等。
4. 医疗仪器:用于成像设备或其他需要精确控制射频能量的应用。
5. 军事与航空航天:例如雷达系统、卫星通信等领域。
RF18N2R3B400CT, RF18N2R3C500CT