IXGH50N60是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电压、高电流的应用场景。该器件具备低导通电阻、高耐压和优异的热性能,适用于电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备等需要高可靠性和高效率的电路中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):50A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(最大)
栅极阈值电压(Vgs(th)):4V至6V
最大功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
IXGH50N60具有多项优异的电气和热性能。首先,其低导通电阻确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗,提高整体系统效率。其次,该器件具备600V的高耐压能力,使其适用于中高功率的电源转换应用,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。此外,IXGH50N60采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能,能够在较高温度环境下稳定运行。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,简化了驱动电路的设计复杂度。同时,MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗,有助于提高系统响应速度并降低电磁干扰(EMI)。
另外,IXGH50N60在短路和过载条件下表现出良好的耐用性,提高了器件在严苛工况下的可靠性。其高雪崩能量耐受能力也确保了在瞬态过压情况下的安全运行。这些特性使得IXGH50N60在高功率应用中成为一款性能稳定、可靠性高的选择。
IXGH50N60广泛应用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、工业电机驱动、电焊设备、高频逆变器、DC-DC转换器以及各种高功率脉宽调制(PWM)控制电路。此外,由于其良好的热稳定性和高效率,该器件也常用于新能源系统,如太阳能逆变器和电动车充电设备。在自动化控制系统中,IXGH50N60可用于控制高功率负载的开关,例如加热元件、大功率LED驱动和工业照明系统。
IXFH50N60, IRFPH50N60, STP55N60DM2, FCP50N60