时间：2025/7/12 16:20:14
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RF18N270J251CT 是一款高性能的 N 沃特功率晶体管（Power MOSFET），主要设计用于高频和高效率的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及优秀的热性能等特性。
其封装形式为 TO-247 或 TO-220（具体视制造商而定），并广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及通信系统中的射频功率放大器等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：160A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：39nC
总开关损耗：38mJ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低功耗，提高整体系统的效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷使 RF18N270J251CT 非常适合高频应用。
3. 优异的热性能确保了在高负载条件下的稳定运行。
4. 高雪崩能量能力增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 具备反向恢复电荷极低的体二极管，从而减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代绿色设计要求。
1. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的牵引逆变器。
2. 工业级 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源供应。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 电信基础设施中的高效功率转换模块。
5. 高性能音频放大器和信号调节电路。
6. 各种类型的电机驱动控制单元。
7. 射频功率放大器以及其他需要高效率和高速切换的场合。
IRFP2907ZPBF, STW12NK60Z, FDP18N25C
