RF18N1R1A500CT 是一款射频 (RF) 功率晶体管,专为高频放大器应用设计。该晶体管采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、低噪声和出色的线性度特性,适用于无线通信系统、基站、雷达以及其他射频设备中的功率放大功能。
其封装形式通常适合表面贴装或通孔安装,具体取决于制造商的版本。由于其卓越的性能参数,这款晶体管在中高功率射频场景中表现优异。
型号:RF18N1R1A500CT
工作频率范围:30 MHz 至 300 MHz
饱和漏极电流:1.2 A
击穿电压(Vds):50 V
最大输出功率:50 W
增益:20 dB
封装类型:TO-247 或 SMD
功耗:60 W
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
RF18N1R1A500CT 的主要特性包括高效率的功率输出和稳定的频率响应。该器件能够在较宽的频率范围内提供一致的性能,同时具备较低的热阻,有助于提升散热效果并延长使用寿命。
此外,它还拥有优秀的线性度和抗干扰能力,这使得它非常适合用于需要高稳定性和可靠性的射频放大器设计。通过优化的内部结构设计,该晶体管能够实现较高的峰值功率和较低的失真率,在复杂的通信环境中表现出色。
该晶体管广泛应用于各种射频功率放大器中,例如:
1. 无线通信基站中的发射机功率放大器。
2. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域的射频能量传输设备。
3. 测试与测量仪器中的信号增强。
4. 军事及航空航天领域中的雷达系统。
5. 广播电台和其他需要高性能射频放大的场合。
RF18N1R1A500C, RF18N1R1B500CT, MRF18N1R1A500CT