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RF18N1R1A500CT 发布时间 时间:2025/6/29 12:15:00 查看 阅读:3

RF18N1R1A500CT 是一款射频 (RF) 功率晶体管,专为高频放大器应用设计。该晶体管采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、低噪声和出色的线性度特性,适用于无线通信系统、基站、雷达以及其他射频设备中的功率放大功能。
  其封装形式通常适合表面贴装或通孔安装,具体取决于制造商的版本。由于其卓越的性能参数,这款晶体管在中高功率射频场景中表现优异。

参数

型号:RF18N1R1A500CT
  工作频率范围:30 MHz 至 300 MHz
  饱和漏极电流:1.2 A
  击穿电压(Vds):50 V
  最大输出功率:50 W
  增益:20 dB
  封装类型:TO-247 或 SMD
  功耗:60 W
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C

特性

RF18N1R1A500CT 的主要特性包括高效率的功率输出和稳定的频率响应。该器件能够在较宽的频率范围内提供一致的性能,同时具备较低的热阻,有助于提升散热效果并延长使用寿命。
  此外,它还拥有优秀的线性度和抗干扰能力,这使得它非常适合用于需要高稳定性和可靠性的射频放大器设计。通过优化的内部结构设计,该晶体管能够实现较高的峰值功率和较低的失真率,在复杂的通信环境中表现出色。

应用

该晶体管广泛应用于各种射频功率放大器中,例如:
  1. 无线通信基站中的发射机功率放大器。
  2. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域的射频能量传输设备。
  3. 测试与测量仪器中的信号增强。
  4. 军事及航空航天领域中的雷达系统。
  5. 广播电台和其他需要高性能射频放大的场合。

替代型号

RF18N1R1A500C, RF18N1R1B500CT, MRF18N1R1A500CT

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RF18N1R1A500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.24891卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.1 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-