时间：2025/7/12 16:19:39
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RF18N150G251CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关速度，适用于高效率电源转换、电机驱动以及负载切换等场景。
这款 MOSFET 的额定电压为 150V，具有良好的耐压性能，同时其封装形式有助于提高散热能力，确保在较高功率密度的应用中保持稳定运行。
漏源击穿电压：150V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
栅极电荷：90nC（典型值）
反向恢复时间：45ns（典型值）
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
RF18N150G251CT 具有以下显著特点：
1. 高效的低导通电阻 (Rds(on)) 可减少导通损耗>2. 快速开关特性使得该器件非常适合高频应用，例如 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
3. 较低的栅极电荷和输出电容降低了开关损耗。
4. 良好的热稳定性，允许在较宽的温度范围内使用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 内置雪崩能量保护功能，增强了器件的鲁棒性。
RF18N150G251CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 工业电机驱动和变频器。
3. 新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统。
4. 电动车和混合动力车的车载充电器及电池管理系统。
5. 高频 DC-DC 转换器和 LLC 谐振变换器。
6. 各类负载切换和保护电路。
该器件凭借其优异的性能，在需要高效能和高可靠性的场合表现突出。
RF18N150G250CT, RF18N150G252CT
