时间：2025/7/7 11:50:49
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RF18N130F251CT是一款高性能的射频功率晶体管，专为高频通信和射频放大应用而设计。该器件采用先进的LDMOS工艺制造，具备高增益、高效率和高线性度的特点。它适用于基站功放、无线通信设备以及测试仪器等领域。
其出色的射频性能使其能够在宽广的频率范围内保持稳定的工作状态，同时支持多载波信号处理，从而满足现代通信系统对复杂调制信号的需求。
型号：RF18N130F251CT
类型：射频功率晶体管
工艺：LDMOS
封装形式：TO-247
工作频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
输出功率：50 W（典型值）
增益：16 dB（典型值）
效率：55%（典型值）
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
最大漏极电压：50 V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
RF18N130F251CT采用了增强型LDMOS技术，具有以下显著特点：
1. 高输出功率：在1.8 GHz至2.7 GHz频段内能够提供高达50W的射频输出功率。
2. 高效率：在典型工作条件下，其效率可达55%，有助于降低功耗并减少散热需求。
3. 高增益：具备16dB的增益，可以有效放大弱小的射频信号。
4. 良好的线性度：支持复杂的多载波信号处理，适合现代数字通信标准。
5. 稳定性好：即使在宽泛的工作温度范围内，也能够保持稳定的性能表现。
6. 易于使用：输入和输出均经过内部匹配，简化了外部电路设计。
RF18N130F251CT广泛应用于各类射频功率放大器的设计中，具体包括：
1. 基站功放：用于蜂窝通信系统的基站发射机。
2. 无线通信设备：如点对点微波链路、WiMAX等宽带无线接入系统。
3. 测试与测量仪器：例如信号源、频谱分析仪中的射频功率模块。
4. 广播和雷达系统：需要高功率射频输出的应用场景。
由于其优异的性能，这款晶体管成为许多高性能射频应用的理想选择。
RF18N130F252CT, RF18N130F261CT
