BAS19T/R 时间：2025/8/14 14:30:56 阅读：6

BAS19T/R是一款高频开关二极管，广泛用于电信设备、射频（RF）电路、数字电路以及其他高频应用中。该器件采用小信号硅二极管结构，具备快速开关特性和低电容特性，适合用于信号切换、保护电路以及混频器和调制器等应用。BAS19T/R采用SOT-23封装形式，适用于表面贴装工艺，具有良好的热稳定性和机械强度。

参数

类型：开关二极管
　　最大正向电流：100 mA
　　最大反向电压：100 V
　　最大反向漏电流（VR）：100 nA（最大）
　　最大电容（@ VR=0V, f=1MHz）：2.5 pF
　　正向电压降（@ IF=10mA）：1.25 V（最大）
　　反向恢复时间（trr）：4 ns（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

BAS19T/R具备一系列优异的电气和物理特性，使其在高频电子系统中表现出色。首先，其极低的结电容（最大2.5 pF）确保了在高频信号路径中的最小插入损耗，从而提升了信号完整性和系统效率。其次，该二极管的快速反向恢复时间（最大4 ns）使其适用于高速开关应用，例如射频开关、调制解调器和数据通信设备中的信号控制。
　　此外，BAS19T/R的正向电压降在10 mA时最大为1.25 V，这在低功耗设计中具有优势，有助于减少电路中的能量损耗。其最大反向漏电流仅为100 nA，在高温环境下仍能保持良好的稳定性，从而提高了系统的可靠性。
　　由于采用SOT-23封装，该器件具备良好的散热性能和紧凑的外形尺寸，适用于高密度PCB布局。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保其在极端环境条件下仍能稳定工作，广泛适用于工业级和汽车级电子设备。