时间：2025/12/23 17:36:56
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RF18N101G500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频和高功率射频应用。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，具备高输出功率、高效率以及宽频带特性。其设计针对通信系统、雷达、卫星通信以及其他高性能射频应用进行了优化。
该型号具有强大的散热性能和可靠性，并通过封装技术进一步提升了实际使用中的稳定性和耐用性。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：+6V/-10V
饱和漏极电流：18A
输出功率密度：2W/mm
工作频率范围：DC-18GHz
导通电阻：3.5mΩ
热阻：0.2°C/W
封装形式：FLGA
RF18N101G500CT 的主要特点是采用了氮化镓材料，这使其能够在高频和高功率环境下保持优异的性能。
1. 高击穿电压支持更高的电源电压，从而提升功率处理能力。
2. 极低的导通电阻和寄生电感显著减少了开关损耗，提高了整体效率。
3. 宽带宽支持使其能够覆盖从低频到极高频的多种应用需求。
4. 热管理经过优化，确保在高负载条件下仍能维持稳定的运行状态。
5. 该器件还提供了卓越的线性度和增益表现，特别适合于对信号质量要求较高的场合。
RF18N101G500CT 广泛应用于各种高频和高功率射频场景中，包括但不限于：
1. 无线基础设施，如 5G 基站、微波回传系统等。
2. 航空航天与国防领域，例如相控阵雷达、卫星通信终端。
3. 医疗成像设备中的超声波发射器。
4. 工业加热及等离子体生成系统。
5. 测试测量仪器，如矢量信号发生器和频谱分析仪。
RF18N100G300CT, RF15N101G400CT
