您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RF18N0R9A251CT

RF18N0R9A251CT 发布时间 时间:2025/7/1 20:52:26 查看 阅读:6

RF18N0R9A251CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛适用于各类电源管理及功率转换应用。其封装形式通常为行业标准的小尺寸表面贴装类型,便于在高密度电路板上使用。
  该 MOSFET 主要针对高频应用设计,在诸如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景中表现出色。由于其优异的电气特性和可靠性,RF18N0R9A251CT 成为了许多工程师在功率级设计中的首选解决方案。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:0.9mΩ
  栅极电荷:37nC
  总电容:1360pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

RF18N0R9A251CT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (0.9mΩ),可显著降低传导损耗并提升效率。
  2. 高额定电流 (24A) 支持大功率应用。
  3. 快速开关能力,适合高频运行环境。
  4. 出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 内置反向二极管功能,简化电路设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  7. 紧凑型封装节省 PCB 空间,同时保持良好的散热性能。

应用

RF18N0R9A251CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 工业与消费类电机驱动控制。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
  4. LED 驱动器和汽车电子系统。
  5. 各类高效能功率模块设计。
  6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备。

替代型号

RF18N0R9A251T, IRF3205, FDP55N06L

RF18N0R9A251CT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RF18N0R9A251CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.87801卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.9 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-