电容：100μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +105°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　高度：约1.0mm
　　温度特性：X5R
　　直流偏压特性：典型值在6.3V偏压下保持70%以上电容值
　　等效串联电阻（ESR）：≤30mΩ @ 100kHz
　　纹波电流（RMS）：≥800mA @ 100kHz
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 CR ≥ 10000μF·MΩ
　　老化率：≤2.5% / decade hour
　　结构类型：多层片式陶瓷电容器（MLCC）
　　端子类型：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni-Sn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UPM0J101MDD 具备出色的电性能和机械稳定性，其核心优势在于采用了先进的高介电常数陶瓷材料与精密叠层工艺，实现了在小型封装内达到高达100μF的电容值。这种设计突破了传统MLCC在大容量方面的限制，填补了与电解电容之间的性能空白。该器件的X5R温度特性确保其在-55°C至+105°C范围内电容变化率不超过±15%，远优于普通Y5V材质，在宽温环境下仍能维持稳定的电路性能。同时，该电容对直流偏压的敏感度显著降低——即使在接近额定电压6.3V的工作条件下，仍可保留超过70%的标称电容，这对于电源去耦和稳压回路至关重要。
　　低等效串联电阻（ESR ≤ 30mΩ）是该器件另一大亮点，使其能够在高频开关电源环境中有效抑制电压波动，减少发热损耗，提高系统效率。相比传统钽电容或铝电解电容，UPM0J101MDD 不仅避免了潜在的短路失效风险，还具备更强的抗冲击和振动能力，适合用于移动设备和车载应用。此外，其全固态结构无液体电解质，不会出现干涸或泄漏问题，极大提升了长期运行的可靠性。该器件还具备优异的自愈能力，在局部介质击穿时可通过微小熔断实现自我修复，防止故障扩散。
　　从制造工艺上看，UPM0J101MDD 采用严格的薄层流延与共烧技术，确保每一层介质和内电极的高度均匀性，从而提升整体耐压能力和一致性。其端电极采用双层镍阻挡层加锡镀层结构，不仅增强了焊接可靠性，还能有效防止银迁移导致的短路问题，尤其适用于高湿高温环境下的长期使用。此外，该产品通过AEC-Q200应力测试认证，满足汽车电子对温度循环、高温高湿偏置（H3TRB）、机械强度等方面的严苛要求，可用于发动机控制单元、ADAS传感器模块和车载信息娱乐系统等关键部位。

UPM0J101MDD 广泛应用于对空间紧凑性和电气性能要求较高的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等，主要用于处理器供电网络的去耦和电源轨滤波，以应对瞬态电流变化并维持电压稳定。在通信领域，该器件被用于射频模块、Wi-Fi/蓝牙模组以及基站前端电路中，作为旁路电容来抑制噪声干扰，提升信号完整性。在电源管理系统中，尤其是DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出滤波环节，其低ESR和高纹波电流能力能够显著降低输出纹波，提升转换效率。
　　工业控制设备中，如PLC控制器、人机界面（HMI）和传感器接口电路，也常采用该型号进行电源去耦和瞬态保护。由于其具备AEC-Q200认证，因此在汽车电子系统中得到了广泛应用，涵盖车身电子、车载导航、摄像头模块、电动助力转向（EPS）以及电池管理系统（BMS）等。此外，在医疗设备、无人机和物联网终端设备中，UPM0J101MDD 凭借其高可靠性、小体积和宽温工作能力，成为替代传统电解电容的理想选择。特别是在需要长时间连续运行且维护困难的嵌入式系统中，其长寿命和低失效率特性显得尤为重要。