RF1643CTR13-5K 时间：2025/8/16 6:23:00 阅读：20

RF1643CTR13-5K 是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）制造的高性能射频放大器芯片，专为无线通信系统设计。该器件是一款高线性度、中功率射频放大器，工作频率范围覆盖800 MHz至2200 MHz，适用于多种无线通信标准，包括GSM、WCDMA、LTE和WiMAX等。RF1643CTR13-5K采用先进的InGaP HBT（异质结双极晶体管）工艺制造，具有优异的稳定性和线性性能，适用于基站、无线基础设施、中继器和分布式天线系统等应用。

参数

工作频率范围：800 MHz - 2200 MHz
　　增益：约16 dB
　　输出功率（P1dB）：约28 dBm
　　线性输出功率（OIP3）：约36 dBm
　　工作电压：5V
　　静态电流：约130 mA
　　封装形式：24引脚TQFN
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF1643CTR13-5K 是一款高性能射频放大器芯片，具有多项显著的技术特性。首先，它具备宽频带操作能力，可在800 MHz至2200 MHz的频率范围内稳定工作，适用于多种无线通信标准，如GSM、WCDMA、LTE和WiMAX等。这一宽频特性使得该芯片能够在不同频段的系统中灵活应用，减少了设计中对多个型号的需求，提高了系统的兼容性和可扩展性。
　　其次，RF1643CTR13-5K 具有高增益特性，典型增益约为16 dB，这使得它在需要信号放大的应用中表现出色。此外，该器件的输出功率（P1dB）约为28 dBm，线性输出功率（OIP3）高达36 dBm，展现出优异的线性性能和高输出能力，适合对信号完整性要求较高的通信系统。
　　该芯片采用先进的InGaP HBT工艺制造，确保了高稳定性和可靠性。其静态工作电流约为130 mA，工作电压为5V，具有良好的功耗管理特性，适用于需要长时间稳定运行的无线基础设施。此外，该器件采用24引脚TQFN封装，体积小巧，便于集成到紧凑的电路设计中。
　　RF1643CTR13-5K 还具有良好的温度稳定性，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内工作，适用于各种严苛环境下的应用，如户外基站、中继器和分布式天线系统。

应用

RF1643CTR13-5K 主要用于各种无线通信系统和射频模块中，广泛应用于基站、无线基础设施设备、中继器、分布式天线系统（DAS）以及测试测量设备中。该器件适用于需要高线性度和稳定输出的射频前端设计，尤其是在多频段和多标准通信系统中表现出色。由于其宽频带特性，该芯片可用于GSM、WCDMA、LTE和WiMAX等不同标准的通信系统，满足现代通信设备对多频段支持的需求。此外，该芯片也适用于需要高性能射频放大的工业和商业应用，如无线传感器网络、远程通信设备和射频功率放大模块等。其紧凑的封装设计和宽温度范围特性使其在户外设备和恶劣环境下也能稳定运行。