时间：2025/7/3 13:08:36
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RF15N8R2C500CT是一款高性能的射频功率MOSFET晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压以及良好的热性能，适用于射频功率放大器、无线通信设备以及其他高频电子系统中。
型号：RF15N8R2C500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ（典型值）
击穿电压(Bvdss)：50V
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
RF15N8R2C500CT的核心特点是其在高频下的高效性能。首先，该器件具备非常低的导通电阻（8mΩ），这有助于减少传导损耗，提升整体效率。
其次漏源电压，能够承受较大的电压波动，并确保在复杂电路环境中的稳定运行。
此外，该MOSFET采用TO-247封装，这种封装方式提供出色的散热能力，使器件能够在高温环境下长时间工作而不降低性能。
它的快速开关特性和低寄生电容使其非常适合射频功率放大器和其他高频应用场景。同时，由于其较高的漏极电流（30A），可以满足大功率输出需求。
RF15N8R2C500CT主要应用于射频功率放大器领域，尤其是在基站、无线电通信设备和工业科学医疗（ISM）频段的应用中。
此外，它还可用于高频DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及其他需要高效率和快速开关响应的电力电子系统中。
由于其优秀的热管理和高频性能，这款MOSFET也适合用作功率级组件，在各种无线通信基础设施中发挥关键作用。
RF16N8R2C500CT, RF15N10R2C500CT
