RF15N6R0B500是一款高性能的射频功率场效应晶体管(RF Power MOSFET),专为高频放大器和射频功率应用设计。该器件采用先进的硅工艺制造,具备出色的线性度、增益和效率,广泛应用于通信基站、无线电设备以及其他需要高功率射频输出的场景。
其独特的结构设计使得它在高频率条件下仍然能够保持良好的性能,同时具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,从而确保更高的可靠性和稳定性。
型号:RF15N6R0B500
类型:N-Channel Enhancement Mode RF MOSFET
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:5A
脉冲漏极电流:12A
栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):0.05Ω
击穿电压:65V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
RF15N6R0B500的主要特性包括以下几点:
1. 高功率处理能力,适用于大功率射频信号放大。
2. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提高整体效率。
3. 在宽频率范围内提供稳定的增益和线性性能。
4. 具备良好的热稳定性和耐热冲击能力,适合长时间高温运行。
5. 内置ESD保护功能,增强器件抗静电能力。
6. 支持多种频率下的高效工作,满足不同射频应用场景的需求。
7. 封装形式坚固耐用,便于安装和散热管理。
RF15N6R0B500的应用领域主要包括:
1. 射频功率放大器模块(用于无线通信基站)。
2. 工业科学医疗(ISM)频段设备中的功率放大部分。
3. 航空航天及国防领域的射频发射机。
4. 高频无线电设备和业余无线电系统。
5. 测试测量仪器中的射频信号生成与放大。
6. 各种类型的雷达系统和其他需要高功率射频输出的应用场景。
RF15N6R0B400, RF15N6R0C500