时间：2025/7/2 17:04:42
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RF15N6R0B500是一款高性能的射频功率场效应晶体管（RF Power MOSFET），专为高频放大器和射频功率应用设计。该器件采用先进的硅工艺制造，具备出色的线性度、增益和效率，广泛应用于通信基站、无线电设备以及其他需要高功率射频输出的场景。
其独特的结构设计使得它在高频率条件下仍然能够保持良好的性能，同时具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，从而确保更高的可靠性和稳定性。
型号：RF15N6R0B500
类型：N-Channel Enhancement Mode RF MOSFET
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5A
脉冲漏极电流：12A
栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.05Ω
击穿电压：65V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
RF15N6R0B500的主要特性包括以下几点：
1. 高功率处理能力，适用于大功率射频信号放大。
2. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提高整体效率。
3. 在宽频率范围内提供稳定的增益和线性性能。
4. 具备良好的热稳定性和耐热冲击能力，适合长时间高温运行。
5. 内置ESD保护功能，增强器件抗静电能力。
6. 支持多种频率下的高效工作，满足不同射频应用场景的需求。
7. 封装形式坚固耐用，便于安装和散热管理。
RF15N6R0B500的应用领域主要包括：
1. 射频功率放大器模块（用于无线通信基站）。
2. 工业科学医疗（ISM）频段设备中的功率放大部分。
3. 航空航天及国防领域的射频发射机。
4. 高频无线电设备和业余无线电系统。
5. 测试测量仪器中的射频信号生成与放大。
6. 各种类型的雷达系统和其他需要高功率射频输出的应用场景。
RF15N6R0B400, RF15N6R0C500
