CS8N25FA9R 时间：2025/8/1 14:40:58 阅读：12

CS8N25FA9R 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效率和高性能的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。CS8N25FA9R 具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：8A
　　最大漏源电压 (Vds)：25V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±12V
　　导通电阻 (Rds(on))：22mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散 (Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

CS8N25FA9R 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件的导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 22mΩ，使得在高电流条件下仍能保持较低的电压降和热量产生。此外，CS8N25FA9R 采用了先进的沟槽技术，优化了导通性能和开关速度，从而减少了开关损耗。
　　另一大特点是其高电流承载能力，最大漏极电流可达 8A，适用于需要高功率密度的设计。此外，该器件具有良好的热管理性能，采用 TO-252（DPAK）封装，能够有效地将热量传导至 PCB 或外部散热片，确保在高负载条件下稳定运行。
　　CS8N25FA9R 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，使其兼容多种驱动电路，包括低压微控制器和专用驱动 IC。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而提升整体系统效率。

应用

CS8N25FA9R 通常用于多种电源管理和功率控制应用。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流或主开关，以提高转换效率。在电机控制应用中，CS8N25FA9R 可作为 H 桥中的开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。
　　在电池供电设备中，如便携式电子产品、无人机和电动工具，CS8N25FA9R 可用于负载开关或电池保护电路，以确保高效的能量传输和安全的运行条件。此外，该器件还可用于电源管理模块、LED 驱动器以及工业自动化系统中的功率控制电路。
　　由于其优异的导通性能和热管理能力，CS8N25FA9R 也广泛应用于高密度电源模块和热敏感环境中，如服务器电源、电信设备和汽车电子系统。