时间：2025/11/6 6:15:48
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RF15N3R9B500LT是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）推出的高性能射频功率晶体管，专为高效率、高线性度的无线基础设施应用而设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，适用于基站放大器中的主级和预驱动级应用。它在高频段表现出色，特别是在3.4 GHz至3.8 GHz范围内，是5G通信系统中理想的射频功率放大解决方案之一。该晶体管具有良好的热稳定性和高增益特性，能够在连续波（CW）和调制信号条件下提供可靠的输出功率性能。其封装设计优化了散热性能，支持高功率密度操作，并具备出色的长期可靠性，适合部署在严苛环境下的通信设备中。
制造商：Qorvo
产品类别：射频晶体管
工作频率：3.4 GHz ~ 3.8 GHz
输出功率：15 W
增益：约22 dB
漏极电压（Vd）：50 V
栅极电压（Vg）：-2.5 V（典型值）
静态电流（Idq）：150 mA（典型值）
封装类型：SOT-1117B
阻抗匹配：内部匹配
工作温度范围：-40°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装尺寸：约 8.0 mm x 6.0 mm x 1.5 mm
热阻（Rth）：约 2.5°C/W
RF15N3R9B500LT采用先进的LDMOS工艺技术，具备卓越的射频性能与稳定性，在3.4 GHz至3.8 GHz频段内可实现高达15 W的连续输出功率，同时保持优异的功率附加效率（PAE），有助于降低系统功耗并提升整体能效。该器件在高负载条件下仍能维持稳定的增益水平，典型增益值约为22 dB，确保信号链路中具备足够的驱动能力。其内部集成输入和输出匹配网络，简化了外部电路设计，减少了PCB布局复杂度，并提升了生产一致性。
该晶体管具备优良的线性度表现，适用于OFDM、DPD（数字预失真）等现代通信技术，能够有效抑制带外发射和互调失真，满足严格频谱掩模要求。此外，其栅极采用负压偏置设计（典型Vg = -2.5 V），提高了工作稳定性并防止热失控，增强了器件在长时间运行中的可靠性。热管理方面，SOT-1117B封装结合低热阻设计（约2.5°C/W），使热量能够高效传导至散热器，支持高功率密度应用场景。
RF15N3R9B500LT还具备良好的抗驻波比（VSWR）能力，即使在失配负载条件下也能保持安全运行，内置保护机制降低了因天线故障或传输线异常导致的损坏风险。该器件符合RoHS环保标准，适用于自动化贴装流程，广泛用于宏基站、微波通信、点对点无线回传以及5G NR n78频段的射频功率放大模块中。
主要用于5G无线通信基站中的射频功率放大器，适用于n78频段（3.5 GHz）的宏蜂窝和小型蜂窝网络部署；也可应用于宽带无线接入系统、点对点微波通信链路、工业级射频加热设备及测试测量仪器中的高线性度放大需求场景。
RF15N3R9B500
