时间：2025/6/28 12:54:00
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RF15N2R0C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能射频功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用了先进的 GaN-on-SiC 技术，具有卓越的线性度、增益和输出功率性能，能够满足现代通信系统对高效能和可靠性的要求。
RF15N2R0C500CT 在雷达、卫星通信、无线基础设施以及测试与测量设备中有着广泛应用。其封装形式适合表面贴装工艺，有助于提高系统的集成度和可靠性。
最大工作频率：3.5 GHz
饱和漏极电流：15 A
击穿电压：200 V
导通电阻：0.5 Ω
热阻：0.8 °C/W
封装类型：SMD
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
RF15N2R0C500CT 的主要特性包括：
1. 高效的 GaN 技术提供了出色的功率密度和能量转换效率。
2. 低导通电阻设计减少了传导损耗，提高了整体效率。
3. 出色的线性度使其适用于多种复杂的调制方案。
4. 封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用场景下的稳定性。
5. 宽带宽支持使得该器件适用于多频段和多模式的应用环境。
6. 内置静电防护（ESD）结构增强了可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
RF15N2R0C500CT 广泛应用于以下领域：
1. 军用雷达系统，提供高功率和高效率的信号放大。
2. 卫星通信设备，用于下行链路和上行链路信号增强。
3. 基站射频功率放大器，在 5G 和其他无线通信基础设施中发挥关键作用。
4. 测试与测量仪器，如信号发生器和频谱分析仪。
5. 工业射频应用，例如等离子体生成和材料处理。
6. 医疗设备中的射频源，例如 MRI 和超声波设备。
RF15N2R0C400CT, RF10N2R0C500CT
