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RF15N220J100CT 发布时间 时间:2025/7/1 20:50:27 查看 阅读:7

RF15N220J100CT 是一款基于硅基技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的半导体工艺设计,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合在需要高效能和高可靠性的场合使用。
  RF15N220J100CT 的封装形式为 TO-263(DPAK),这种封装能够有效降低寄生电感并提高散热性能。其主要应用场景包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等。

参数

最大漏源电压:220V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  栅极电荷:27nC
  输入电容:1000pF
  最大工作结温:175°C
  封装形式:TO-263

特性

RF15N220J100CT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于现代开关电源和逆变器设计。
  3. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。
  4. 小型化 DPAK 封装优化了 PCB 布局,同时提供了良好的散热路径。
  5. 出色的热稳定性,使其能够在高温环境下长时间运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

RF15N220J100CT 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 电机驱动和控制模块。
  4. 电池管理系统中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率级电路。
  6. 通信电源和适配器设计。

替代型号

RF15N220J120CT, IRFZ44N, FQP16N20

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RF15N220J100CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.12140卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容22 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定10V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-