时间：2025/7/1 20:50:27
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RF15N220J100CT 是一款基于硅基技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的半导体工艺设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合在需要高效能和高可靠性的场合使用。
RF15N220J100CT 的封装形式为 TO-263（DPAK），这种封装能够有效降低寄生电感并提高散热性能。其主要应用场景包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等。
最大漏源电压：220V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：27nC
输入电容：1000pF
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-263
RF15N220J100CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于现代开关电源和逆变器设计。
3. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。
4. 小型化 DPAK 封装优化了 PCB 布局，同时提供了良好的散热路径。
5. 出色的热稳定性，使其能够在高温环境下长时间运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
RF15N220J100CT 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制模块。
4. 电池管理系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率级电路。
6. 通信电源和适配器设计。
RF15N220J120CT, IRFZ44N, FQP16N20
