SMJ44100-10HMM 是一款由 Vishay Siliconix 生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高功率处理能力和快速开关特性。该器件主要用于需要高效率和高性能的电源管理和功率转换应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
连续漏极电流(Id):56A
导通电阻(Rds(on)):18mΩ(最大值)
栅极电荷(Qg):98nC
封装类型:TO-263(表面贴装)
工作温度范围:-55°C至175°C
SMJ44100-10HMM 具有低导通电阻,可减少功率损耗,提高系统效率。其高电流处理能力和高耐压特性使其适用于高负载条件下的应用。该器件还具有良好的热稳定性和高可靠性,适用于工业和汽车应用。此外,它采用了先进的沟槽技术,提供更快的开关速度和更低的栅极电荷,有助于提高整体系统性能。
此MOSFET的封装形式为TO-263,支持表面贴装技术,便于在PCB上安装和使用。其设计确保了在高温环境下仍能保持稳定工作,并具有良好的散热性能。同时,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代电子制造要求。
SMJ44100-10HMM 主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等高功率场景。它也常用于工业自动化设备、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和储能系统中。该器件的高可靠性和高效率使其成为工程师在设计高性能电源解决方案时的首选。
Si4410DY-T1-GE3, IRF1404, FDP56140