时间：2025/4/3 11:13:01
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RF15N220G500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性，非常适合用于电源转换、射频放大器和无线充电等领域。
由于其卓越的性能表现，RF15N220G500CT 在现代电力电子系统中被广泛采用，尤其是在需要高效能和小型化的场合。
最大漏源电压：220V
连续漏极电流：15A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：无（因 GaN 无反向恢复问题）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4
RF15N220G500CT的主要特性包括：高耐压能力，能够承受高达 220V 的漏源电压；低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率；快速开关速度，支持高频操作从而减小无源元件尺寸；热稳定性强，在高温环境下仍能保持优异的性能。
此外，作为一款基于氮化镓技术的功率晶体管，它避免了传统硅基 MOSFET 存在的反向恢复问题，因此可以显著降低开关损耗并提升整体系统效率。
在制造工艺方面，RF15N220G500CT 使用先进的半导体加工技术以确保一致性和可靠性，同时提供坚固耐用的设计来应对各种严苛的应用场景。
该芯片适用于多种高要求的应用领域，例如服务器电源、通信基站电源、太阳能逆变器、电动汽车充电桩以及 DC-DC 转换器等。在这些应用中，RF15N220G500CT 可以实现更高的效率和功率密度，同时简化热管理设计并降低成本。
此外，它也非常适合用作射频功率放大器的核心组件，能够在 GHz 频段内提供稳定的输出功率和增益。对于无线充电设备而言，这款 GaN 功率晶体管同样是一个理想选择，因为它能够支持更高频率的操作，进而缩小线圈尺寸并改善能量传输效率。
RF15N220G400CT, RF10N220G500CT
