时间：2025/5/13 13:05:59
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SLD5N50U是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效开关的电路中。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，能够满足高效率和高可靠性的应用需求。
SLD5N50U的核心特点是其出色的开关性能和散热性能，这使得它在功率转换领域表现优异。通过优化的芯片设计，该器件能够在高频开关条件下保持较低的功耗。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：5A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（最大值，在Vgs=10V时）
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃~+150℃
1. 高击穿电压（500V），适用于高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻（1.8Ω），可减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，有助于减小滤波器体积。
4. TO-220标准封装，具备良好的散热性能。
5. 低输入电容，易于驱动。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 逆变器和光伏系统中的功率转换。
5. 各类工业电子设备中的负载开关。
6. 过流保护和短路保护电路。
IRF540N
FQP50N06L
STP5NK50Z
IXFK50N50
