RF15N200F500CT 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于高频放大和射频信号处理。该器件采用先进的硅双极技术制造,具有高增益、低噪声和出色的线性度特性,适用于无线通信、雷达系统和其他射频应用领域。
它能够在高频环境下提供稳定的功率输出,并且具备良好的散热性能,以确保长时间稳定运行。
最大集电极电流:15A
最大集电极-发射极电压:200V
最大功率耗散:500W
工作频率范围:30MHz-300MHz
增益带宽积:100MHz
封装形式:TO-3
结温范围:-55℃至+175℃
RF15N200F500CT 提供了卓越的射频性能,其主要特点包括:
1. 高功率处理能力:支持高达 500W 的功率耗散,适合大功率射频应用。
2. 宽广的工作频率范围:覆盖从 30MHz 到 300MHz 的频率区间,满足多种无线通信需求。
3. 高可靠性设计:能够承受较高的温度范围以及较强的电气应力,保证长期使用的稳定性。
4. 低热阻封装:采用了 TO-3 封装形式,优化了热传导路径,有效降低了器件的工作温度。
5. 出色的线性度:在高功率输出条件下仍能保持较低的失真水平,非常适合对信号质量要求较高的场合。
该芯片广泛应用于各种射频和无线通信设备中,例如:
1. 基站功率放大器:为移动通信基站提供高效的射频信号放大功能。
2. 工业、科学和医疗 (ISM) 设备:用于微波炉、工业加热器以及其他需要射频能量的设备。
3. 测试与测量仪器:如频谱分析仪和网络分析仪中的射频信号源。
4. 航空航天和国防:用作雷达系统中的关键组件,提供高精度的射频信号处理能力。
RF15N200F600CT, RF18N200F500CT