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RF15N200F500CT 发布时间 时间:2025/7/4 3:55:11 查看 阅读:18

RF15N200F500CT 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于高频放大和射频信号处理。该器件采用先进的硅双极技术制造,具有高增益、低噪声和出色的线性度特性,适用于无线通信、雷达系统和其他射频应用领域。
  它能够在高频环境下提供稳定的功率输出,并且具备良好的散热性能,以确保长时间稳定运行。

参数

最大集电极电流:15A
  最大集电极-发射极电压:200V
  最大功率耗散:500W
  工作频率范围:30MHz-300MHz
  增益带宽积:100MHz
  封装形式:TO-3
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

RF15N200F500CT 提供了卓越的射频性能,其主要特点包括:
  1. 高功率处理能力:支持高达 500W 的功率耗散,适合大功率射频应用。
  2. 宽广的工作频率范围:覆盖从 30MHz 到 300MHz 的频率区间,满足多种无线通信需求。
  3. 高可靠性设计:能够承受较高的温度范围以及较强的电气应力,保证长期使用的稳定性。
  4. 低热阻封装:采用了 TO-3 封装形式,优化了热传导路径,有效降低了器件的工作温度。
  5. 出色的线性度:在高功率输出条件下仍能保持较低的失真水平,非常适合对信号质量要求较高的场合。

应用

该芯片广泛应用于各种射频和无线通信设备中,例如:
  1. 基站功率放大器:为移动通信基站提供高效的射频信号放大功能。
  2. 工业、科学和医疗 (ISM) 设备:用于微波炉、工业加热器以及其他需要射频能量的设备。
  3. 测试与测量仪器:如频谱分析仪和网络分析仪中的射频信号源。
  4. 航空航天和国防:用作雷达系统中的关键组件,提供高精度的射频信号处理能力。

替代型号

RF15N200F600CT, RF18N200F500CT

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RF15N200F500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.17022卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容20 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-