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VJ0402D9R1DLCAP 发布时间 时间:2025/7/10 18:34:45 查看 阅读:11

VJ0402D9R1DLCAP 是一种陶瓷电容器,属于 C0G (NP0) 类介质的多层陶瓷电容器 (MLCC),适用于高频电路和信号处理。该型号具有高稳定性和低损耗的特点,温度特性优异,在各种温度条件下都能保持稳定的电容值。这种电容器通常用于滤波、耦合、旁路以及射频应用中。

参数

封装:0402
  电容值:9pF
  额定电压:50V
  公差:±1%
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  介质材料:C0G (NP0)
  损耗因子:≤0.001
  尺寸(长×宽):0.4mm × 0.2mm

特性

VJ0402D9R1DLCAP 具有极高的温度稳定性,其电容值在 -55°C 到 +125°C 的范围内几乎不随温度变化,变化率小于 ±30ppm/°C。
  此外,该电容器的损耗因子非常低,使其非常适合用于高频和射频电路。由于其小型化设计(0402 封装),它也能够轻松适应空间受限的设计需求。同时,其 ±1% 的高精度公差使得它在需要精确电容值的应用场景中表现优异。

应用

VJ0402D9R1DLCAP 广泛应用于高频通信设备、无线模块、射频前端电路、晶体振荡器匹配网络、滤波器设计、信号耦合以及电源去耦等场合。
  特别是在对温度稳定性要求较高的环境中,例如工业控制设备、汽车电子系统和航空航天领域,这款电容器因其卓越的性能而备受青睐。

替代型号

VJ0402P9R0X7RACTU
  VJ0402G9R0K3AACAP
  GRM033C80J9R0K01

VJ0402D9R1DLCAP参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列VJ HIFREQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容9.1 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.61mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-