型号：RF15N1R5B500CT
　　类型：GaN HEMT射频功率晶体管
　　封装形式：螺栓式陶瓷封装
　　漏极电源电压（Vd）：50V
　　栅极阈值电压（Vgs_th）：约-3.5V
　　连续波输出功率（Pout）：1500W（典型值）
　　增益：约24dB（在指定频率范围内）
　　漏极静态电流（Idq）：可调，典型值几百mA
　　工作频率范围：1.8GHz至2.2GHz（典型应用频段）
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.5:1（全相位）
　　热阻（Rth）：≤0.25°C/W（结至壳）
　　工作结温范围：-40°C 至 +225°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +250°C

RF15N1R5B500CT的核心优势在于其基于GaN-on-SiC的半导体材料体系所带来的卓越电学与热学性能。氮化镓材料具有极高的击穿电场强度，使得器件可以在远高于传统硅基LDMOS晶体管的电压下安全运行，从而显著提升输出功率密度和功率附加效率（PAE）。结合SiC衬底优异的导热能力，该器件即使在极端功率负载下也能有效散热，防止热失控并延长使用寿命。这种材料组合使RF15N1R5B500CT能在高达225°C的结温下持续工作，远超LDMOS器件的极限，特别适合部署在高温环境或空气冷却受限的户外基站中。
　　该器件在1.8GHz至2.2GHz频段内表现出色，典型输出功率可达1500W连续波（CW），且具备约24dB的高增益水平，大幅减少了前级驱动需求，有助于简化系统架构。其高效率特性意味着更低的直流功耗和热量产生，在长期运行中显著降低运营成本，并提高能源利用率。此外，RF15N1R5B500CT具备优异的宽带响应能力，支持多种通信标准如TD-LTE、WCDMA和CDMA2000等，适用于多模多频基站的统一平台设计。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的可靠性测试认证，包括高温反偏（HTGB）、高压栅极应力（HVGS）和功率循环试验，确保在恶劣电磁和气候环境中长期稳定运行。其内置的静电放电（ESD）保护机制进一步提升了现场操作的安全性。制造商还提供了详尽的应用指南和参考电路设计，帮助工程师快速完成匹配网络布局、热管理方案和PCB接地处理，缩短产品开发周期。总体而言，RF15N1R5B500CT代表了当前高功率射频放大技术的先进水平，是替代老旧LDMOS解决方案的理想选择。

RF15N1R5B500CT主要应用于需要极高射频输出功率和高效率的通信与工业系统中。其首要应用场景是第四代（4G）和第五代（5G）蜂窝移动通信基站中的主功率放大器模块，特别是在大容量宏蜂窝基站和远距离覆盖站点中发挥关键作用。它可在1.8GHz至2.2GHz频段内提供1500W级别的连续波输出功率，满足大规模MIMO和高阶调制信号对线性放大能力的需求。借助数字预失真（DPD）技术，该器件能够实现高度线性的放大效果，有效抑制邻道泄漏比（ACLR），符合3GPP标准对频谱纯净度的要求。
　　除了民用通信领域，RF15N1R5B500CT也广泛用于军用雷达系统，尤其是地面防空雷达、舰载火控雷达和空中预警系统。这些系统要求长时间发射高能脉冲信号，对器件的瞬时功率承受能力、热稳定性和抗干扰性能提出极高要求，而该GaN晶体管凭借其优越的材料特性和封装设计，完全胜任此类任务。此外，在电子战（EW）和定向能武器系统中，该器件可用于构建高功率射频干扰源或毫米波前端模块，实现远程压制或非致命打击功能。
　　在工业、科学和医疗（ISM）领域，RF15N1R5B500CT可用于射频能量加热设备，例如塑料焊接机、木材干燥系统和等离子体发生器。其高效的能量转换能力和稳定的输出特性有助于提升加工精度和生产效率。同时，该器件也可用于商业广播发射机，特别是UHF电视和FM广播塔站，作为末级功率放大单元，提供强劲的信号覆盖能力。总之，凡是对射频功率、效率和可靠性有严苛要求的应用场合，RF15N1R5B500CT均是一个极具竞争力的技术选项。

RF35N1R5B500CT
　　RF15N1R5B100CT
　　AMF-5C61LN
　　CGHV1J025F