IXTH31N20MB 时间：2025/8/5 18:52:06 阅读：26

IXTH31N20MB 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源转换系统。该器件采用 TO-247 封装，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于开关电源（SMPS）、电机驱动、DC-DC 转换器和逆变器等应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　连续漏极电流（ID）：31A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.065Ω（最大）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：200W

特性

IXTH31N20MB 具备出色的导通和开关性能，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的平面技术，确保了高稳定性和耐用性。此外，它具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。该 MOSFET 内置快速恢复二极管，有助于减少外部元件数量，提高电路设计的紧凑性。其封装形式 TO-247 提供良好的散热性能，适用于高功率密度应用。
　　在栅极驱动方面，IXTH31N20MB 具有较高的输入阻抗，使得驱动电路设计更为简单，降低了驱动损耗。此外，其短路耐受能力较强，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。该器件还具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如谐振变换器和同步整流电路。