时间：2025/7/7 18:21:11
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RF15N1R3C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为射频功率放大器应用而设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，能够提供高功率密度、高效率和宽频带性能，适合用于通信基站、雷达系统以及航空航天领域中的高频功率放大。其封装形式为表面贴装型，便于集成到现代射频电路中。
该型号的核心特点是低导通电阻、高击穿电压和优秀的热管理能力，使其能够在高频和高功率条件下稳定运行。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：10A
峰值脉冲电流：25A
输出功率：50W
频率范围：0.8GHz 至 6GHz
导通电阻：1.3mΩ
增益：15dB
效率：75%
封装类型：CT 封装
RF15N1R3C500CT 具备出色的射频性能，特别是在高功率密度和宽带宽操作方面表现出色。其基于氮化镓技术的结构带来了以下优势：
1. 高击穿电压：允许在更高的电压下工作，从而提高功率输出。
2. 高开关速度：由于氮化镓材料的电子迁移率较高，可实现更快的开关时间。
3. 低导通电阻：降低传导损耗，提升整体效率。
4. 良好的热性能：高效的散热设计确保长时间高负载下的可靠性。
5. 宽带操作：覆盖从 0.8GHz 到 6GHz 的频率范围，适用于多种无线通信标准。
这款 GaN HEMT 主要应用于需要高性能射频功率放大的场景，包括但不限于：
1. 通信基站：支持 4G LTE 和 5G NR 网络中的功率放大需求。
2. 军事与航空航天：如相控阵雷达系统、卫星通信终端等。
3. 测试设备：用于信号生成和放大测试仪器。
4. 广播系统：例如 FM 和 TV 发射机中的功率放大模块。
5. 工业加热和等离子体激发：需要高频大功率电源的工业过程控制。
RF15N1R3C400CT, RF15N1R3C600CT
