RF15N1R3B500CT 是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频无线通信应用设计。该器件采用了先进的 LDMOS 工艺技术,能够提供高效率和高增益的射频输出。其典型应用场景包括蜂窝基站、无线电中继站以及其他需要高线性度和高功率输出的系统。
该晶体管具有出色的耐热性和稳定性,在高温和高压环境下仍能保持良好的性能表现,同时支持宽带操作以适应多种频率范围。
型号:RF15N1R3B500CT
类型:射频功率晶体管
工艺:LDMOS
封装:TO-247-3
频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
最大输出功率:500 W
增益:15 dB
效率:>60%
工作电压:28 V
电流:30 A
结温范围:-55°C 至 +150°C
RF15N1R3B500CT 的主要特点包括:
1. 高功率输出能力,适合于高要求的射频放大器应用。
2. 在宽频率范围内表现出优异的增益和效率,有助于提高系统的整体性能。
3. 内置保护电路,可有效防止过压、过流和过温等异常情况的发生。
4. 使用 LDMOS 技术制造,确保了器件的高可靠性和长寿命。
5. 稳定的电气特性和机械结构,适用于恶劣环境下的长时间运行。
6. 支持表面贴装和通孔安装方式,便于用户根据实际需求选择合适的装配方法。
RF15N1R3B500CT 广泛应用于以下领域:
1. 蜂窝基站中的射频功率放大器模块。
2. 固定无线接入(FWA)系统中的发射机部分。
3. 军用及民用无线电通信设备中的大功率放大环节。
4. 广播电视信号传输中的高功率放大组件。
5. 测试与测量仪器中的射频信号源。
此外,它还能够在卫星通信、雷达系统等领域发挥重要作用。
RF15N1R3B500C, RF15N1R3B500D