RF15N120J500CT是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频和高效率开关应用设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,适合用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。
RF15N120J500CT属于N沟道增强型MOSFET,其额定电压和电流参数使其非常适合在中高压应用场景下工作,同时能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:15A
导通电阻:50mΩ(典型值)
栅极电荷:35nC(典型值)
输入电容:1000pF(典型值)
开关速度:快速
封装类型:TO-247
RF15N120J500CT的主要特性包括以下几点:
1. 高击穿电压:该器件的漏源电压高达120V,能够在较高电压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为50mΩ,在大电流应用中可显著减少功耗。
3. 快速开关性能:得益于较低的栅极电荷和优化的设计,RF15N120J500CT可以实现快速开关,从而降低开关损耗。
4. 高可靠性:通过严格的测试流程确保器件在各种恶劣环境下的稳定性和耐用性。
5. 热性能优越:采用大功率封装(TO-247),能够高效散热,适用于高功率密度的应用场景。
RF15N120J500CT广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管使用,提高转换效率。
2. 电机驱动:适用于直流无刷电机、步进电机等驱动电路。
3. 工业控制:如逆变器、变频器及不间断电源(UPS)中的关键功率元件。
4. 充电器:手机快充、笔记本充电器以及其他便携设备充电解决方案。
5. LED照明:大功率LED驱动电路中的核心组件。
RF15N120J400CT, IRFZ44N, FDP15N120S