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RF15N120J500CT 发布时间 时间:2025/7/1 20:50:15 查看 阅读:25

RF15N120J500CT是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频和高效率开关应用设计。该器件采用先进的工艺技术制造,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,适合用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。
  RF15N120J500CT属于N沟道增强型MOSFET,其额定电压和电流参数使其非常适合在中高压应用场景下工作,同时能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:50mΩ(典型值)
  栅极电荷:35nC(典型值)
  输入电容:1000pF(典型值)
  开关速度:快速
  封装类型:TO-247

特性

RF15N120J500CT的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压:该器件的漏源电压高达120V,能够在较高电压环境下稳定工作。
  2. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为50mΩ,在大电流应用中可显著减少功耗。
  3. 快速开关性能:得益于较低的栅极电荷和优化的设计,RF15N120J500CT可以实现快速开关,从而降低开关损耗。
  4. 高可靠性:通过严格的测试流程确保器件在各种恶劣环境下的稳定性和耐用性。
  5. 热性能优越:采用大功率封装(TO-247),能够高效散热,适用于高功率密度的应用场景。

应用

RF15N120J500CT广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管使用,提高转换效率。
  2. 电机驱动:适用于直流无刷电机、步进电机等驱动电路。
  3. 工业控制:如逆变器、变频器及不间断电源(UPS)中的关键功率元件。
  4. 充电器:手机快充、笔记本充电器以及其他便携设备充电解决方案。
  5. LED照明:大功率LED驱动电路中的核心组件。

替代型号

RF15N120J400CT, IRFZ44N, FDP15N120S

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RF15N120J500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.15095卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容12 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-