时间：2025/7/9 14:20:58
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RF15N100J500CTNB 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，适用于高频、高压和高效率的应用场景。该器件采用了先进的半导体工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛用于电源管理、电机驱动、通信设备和其他工业电子应用中。
RF15N100J500CTNB 的设计使其能够在较高的电压下运行，同时保持较低的功耗和良好的散热性能，从而提高了系统的整体效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
总功耗：17W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压：支持高达 100V 的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为 50mΩ，减少了导通状态下的能量损耗。
3. 快速开关能力：低栅极电荷和优化的内部结构，有助于实现更高的开关频率。
4. 良好的热性能：通过 TO-247 封装提供高效的散热路径。
5. 宽温范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的工作温度，适应恶劣环境下的使用需求。
6. 高可靠性：经过严格的质量控制和测试流程，确保长期使用的稳定性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 高频逆变器和通信电源模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的辅助电源系统。
6. LED 照明驱动器中的功率控制元件。
IRF840, STP16NF10, FQP16N10
