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AON6314 发布时间 时间:2025/5/8 15:15:48 查看 阅读:4

AON6314是Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用小尺寸封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高效能电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率管理电路。
  该器件特别适合需要高效率和低功耗的应用场景,其出色的性能使其成为便携式电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.8A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AON6314是一款高度优化的MOSFET器件,具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻确保了高效率和较低的功率损耗。
  2. 快速开关能力降低了开关过程中的能量损失,提高了整体系统效率。
  3. 小型化封装设计,非常适合空间受限的应用环境。
  4. 宽工作温度范围使该器件能够在极端条件下稳定运行。
  5. 高可靠性设计确保长期使用中的稳定性与一致性。
  这些特性共同使得AON6314成为各种高效能应用的理想选择,特别是那些对小型化和高效能有严格要求的场合。

应用

AON6314广泛应用于各类电源管理和功率控制场景中,包括但不限于:
  1. DC-DC转换器:用于笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的电源转换。
  2. 负载开关:在USB充电端口、移动电源和其他消费类电子产品中提供精确的负载控制。
  3. 电池保护电路:用于锂电池组的过流保护及充放电管理。
  4. 电机驱动:用于小型直流电机的驱动和控制。
  5. 其他一般用途的功率开关应用。
  AON6314凭借其高性能指标,在上述应用场景中表现出色,满足了现代电子设备对小型化、高效能的需求。

替代型号

AO4614, FDS6690

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AON6314参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥2.45705卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1900 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)32.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线