时间：2025/7/9 11:58:09
阅读：10
RF15N0R8B101CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型结构，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于射频功率放大器和其他高性能射频应用。
其封装形式通常为芯片级封装 (CSP)，能够有效降低寄生电感和电容，从而提升整体性能。
最大漏源电压：150V
导通电阻：80mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
最大漏极电流：10A
工作温度范围：-55℃~+175℃
封装类型：CSP
RF15N0R8B101CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (80mΩ)，能够在高电流条件下实现高效的功率转换。
2. 快速开关性能，支持高达几GHz的工作频率，非常适合射频和微波应用。
3. 增强型 GaN 技术确保了器件在正常操作中的稳定性，并提供更高的可靠性。
4. 小型 CSP 封装显著减少了寄生效应，提升了高频下的性能表现。
5. 高温工作能力 (-55℃至+175℃)，使其能够在极端环境条件下运行。
该器件广泛应用于需要高效射频功率放大的场景中，例如：
1. 无线通信基础设施，如基站功率放大器。
2. 航空航天和国防领域中的雷达系统。
3. 工业科学医疗 (ISM) 领域的射频能量应用。
4. 点对点无线电通信设备。
5. 测试与测量仪器中的高性能信号生成。
RF15N0R6B101CT, RF20N0R8B101CT
